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Einrichtung: PRO Angewandte Physik / Festkörperphysik - Einzelansicht

  • Funktionen:
Grunddaten
Kurzbezeichnung ifkds Einrichtungsart Professur
Einrichtung PRO Angewandte Physik / Festkörperphysik Drucken
Zusatzbezeichnung Professur Angewandte Physik / Festkörperphysik(Prof. Dr. Fritz) Veranstalter/-in J
Adresse
PLZ 07743 Telefon 03641/ 947400
Ort Jena Fax 03641/ 947412
Straße Helmholtzweg 5 E-Mail-Adresse torsten.fritz@uni-jena.de
Dienstzimmer Hyperlink http://www.physik.uni-jena.de/~layer/

Inhalt

Ausstattung • 3 Feststoffquellen-Molekularstrahl-Epitaxieanlagen für SiC/Si und GaAs/AlAs/InGaAs
• 2 Ultrahochvakuum-Oberflächenanalyseanlagen mit Präparationskammern für: AUGERElektronenspektroskopie,
Photoelektronenspektroskopie (XPS/ESCA, UPS), Elektronenbeugung,
Elektronenchanneling, Rastertunnelmikroskopie, Rasterelektronenmikroskopie
• Tieftemperatur-Photolumineszenzmessplatz mit mehreren Laserlichtquellen
• Rasterkraftmikroskop
• Prozessstrecke zur Herstellung von Laserdioden
• Messplatz zur Charakterisierung von Laserdioden
Stichworte Schichten * Molekularstrahlepitaxie * Schichtanalyse * Oberflächenanalyse * Laserdioden * Sättigbare Absorberspiegel * Elektronenspektroskopie * Beschichtung * Halbleiter * LED
Kooperation • Bestimmung der Zusammensetzung, Morphologie und Bindungsverhältnisse von Schichten und Oberflächen mittels oberflächenanalytischer Methoden
• Untersuchung von Oberflächenstrukturen mittels Rasterkraftmikroskopie und Rastertunnelmikroskopie
• Abscheidung epitaktischer Schichten aus Halbleitermaterialien wie beispielsweise Si, SiC, Ge, GaAs, AlAs und InGaAs
• Entwicklung optoelektronischer Halbleiterbauelemente auf der Grundlage der Materialien GaAs, AlGaAs und InGaAs
• Herstellung spezieller Laserdioden
• Abscheidung und Messung optischer Schichten
• Präparation und Charakterisierung von Substratoberflächen
• Photolumineszenzmessungen von Materialien in Abhängigkeit von der Temperatur
Forschungstätigkeit • Molekularstrahlepitaxie von Halbleiter-Verbindungen aus GaAs, AlGaAs und InGaAs
• Molekularstrahlepitaxie von Halbleiter-Schichtsystemen für die Optoelektronik, wie Laserdioden und sättigbare Absorberspiegel
• Untersuchungen von Schichtbildungsprozessen bei der Homo- und Hetero-Epitaxie - Substrat- Oberflächenbehandlung von Halbleitern
• Oberflächen- und Schichtanalyse mittels Elektronenspektroskopie (Auger- und Photoelektronenspektroskopie), Elektronenbeugung, Rasterkraftmikroskopie, Rastertunnelmikroskopie und Elektronenmikroskopie
• Untersuchungen der elektronischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen mittels Rastertunnelmikroskopie

Funktionen
Person Funktion von bis Ergänzung
Fritz, Torsten, Universitätsprofessor, Dr. Leiter(in)
Stender, Sylvia Sekretär(in)
Forker, Roman , Dr.rer.nat. Wissensch. Mitarbeiter(in)
Grünewald, Marco , Dr.rer.nat. Wissensch. Mitarbeiter(in)
Kirchhübel, Tino Wissensch. Mitarbeiter(in)
Ritzer, Maurizio Wissensch. Mitarbeiter(in)
Sekman, Yusuf Wissensch. Mitarbeiter(in)
Sojka, Falko , Dr. Wissensch. Mitarbeiter(in)
Domke, Jari , M.Sc. Doktorand(in)
Hümpfner, Tobias Doktorand(in)
Sun, Lin Doktorand(in)
Zwick, Christian Doktorand(in)
Eberhardt, Uwe Technik
Frunzke, Silke Technik
Mühlig, Holger , Dipl-Ing.(FH) Technik
Rudolph, Helga Technik

Liste zeigen

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