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Einrichtung: PRO Festkörperphysik - Einzelansicht

  • Funktionen:
Grunddaten
Kurzbezeichnung ifknfp Einrichtungsart Professur
Einrichtung PRO Festkörperphysik Drucken
Zusatzbezeichnung Professur Experimentalphysik/Festkörperphysik Veranstalter/-in J
Adresse
PLZ 07743 Telefon 03641/ 947301
Ort Jena Fax 03641/ 947302
Straße Helmholtzweg 3 E-Mail-Adresse anja.mittelstaedt@uni-jena.de
Dienstzimmer Hyperlink http://www.physik.uni-jena.de/~exphys/start_neu.html

Inhalt

Ausstattung • 3-MV-Tandetron-Beschleuniger JULIA zur Hochenergie-Ionenimplantation und Materialanalyse (RBS und PIXE in Verbindung channeling, ERD, NRA)
• 400 kV-Ionenimplanter ROMEO zur Dotierung von Festkörpern
• Feinfokus-Implantationsanlage IMSA 100 zur Ionenimplantation und Sub-
Mikrometerstrukturierung
• Niederenergie-Implantationsquelle LEILA zur Wasserstoffdotierung
• Molekularstrahl-Epitaxie-Anlage zur Herstellung von Chalkopyrit Schichten mit LEED, AES, PAC-Spektrometer
• Molekularstrahl-Epitaxie-Anlage für 4"-CIS-Schichten mit RHEED, Effusionsquellen, Schwefelquelle
• PAC-Spektrometer zur mikroskopischen Phasen- und Defektanalyse
• DLTS-Anlagen zur Identifizierung elektrisch aktiver Defekte in Halbleitern
• Raster-Kraft-Mikroskop und Oberflächen-Profilometer DEKTAK 100
• Hall-Messplatz für Transportmessungen
• Bedampfungsanlagen für HV- und UHV-Bedingungen
• Temperanlagen und RTA-Apparatur
• Radionuklidlabor für radioaktive Präparationen
Stichworte Nukleare Festkörperphysik * Ionenstrahlphysik * Materialmodifikationen * Ionenstrahlanalytik * Halbleiterschichten * Verbindungshalbleiter * Dünnschicht-Solarzellen * Optische Materialien
Kooperation • Charakterisierung von Störstellen in Halbleitern
• Implantation von Dotierelementen in Halbleitern (Energien von wenigen 10 keV bis zu einigen MeV)
• Wasserstoff-Passivierung von Defekten in Halbleitern
• Herstellung von Mikrostrukturen mit MeV-Ionenstrahllithographie (DIBL)
• Herstellung und Charakterisierung von ein- und polykristallinen Chalkopyrithalbleiter-Schichten für photovoltaische Anwendungen
• Herstellung von Engwinkel-IR-Emitterdioden mittels Hochenergie-Ionenbestrahlung
• Modifizierung und Analyse von optischen Materialien durch Ionenimplantationen
• Analyse von Festkörperschichten mit RBS, PIXE, ERD, NRA
• Modifizierung von Festkörpern mit feinfokussierten Ionenstrahlen
Forschungstätigkeit • Untersuchung von Struktur und Dynamik lokaler Störungen und innerer Felder in Festkörpern mit Hilfe kernphysikalischer, optischer und elektrischer Methoden
• Atomare und elektronische Strukturen tiefer Störstellen und Störstellenkomplexe in Halbleitern
• Wasserstoff-Passivierung von Defekten in Halbleitern
• Materialaspekte der Photovoltaik, Dünnschichtsolarzellen
• Herstellung dreidimensional gekrümmter Mikrostrukturen mit MeV-Ionenstrahlen (Ionenstrahllithographie) • Theoretische und experimentelle Untersuchungen zur Ion-Festkörperwechselwirkung und zur Analyse von Festkörperschichten mit Ionenstrahlen
• Untersuchungen zur Modifizierung physikalischer Eigenschaften von Festkörperbereichen durch Ionenimplantation verbunden mit Nachfolgeprozessen (thermische Prozesse, ionen- und laserstrahlgestützte Kristallisation)

Funktionen
Person Funktion von bis Ergänzung
Ronning, Carsten, Universitätsprofessor, Dr. Leiter(in)
Wesch, Werner, Professor, Dr. Emeritus
Mittelstädt, Anja Sekretär(in)
Eobaldt, Edwin Wissensch. Mitarbeiter(in)
Hafermann, Martin , Dr. rer. nat. Wissensch. Mitarbeiter(in)
Koch, Alexander Wissensch. Mitarbeiter(in)
Lopez Marcos, Veronica Wissensch. Mitarbeiter(in)
Plass, Christian Tobias Wissensch. Mitarbeiter(in)
Reislöhner, Udo , Dr. rer. nat. Wissensch. Mitarbeiter(in)
Vitale, Francesco Wissensch. Mitarbeiter(in)
Wendler, Elke, apl. Prof., Dr. Wissensch. Mitarbeiter(in)
Zapf, Maximilian Wissensch. Mitarbeiter(in)
Barth, Ulrich Techn. Mitarbeiter(in)
Hoffmann, Patrick Techn. Mitarbeiter(in)
Jehn, Frank Techn. Mitarbeiter(in)
Choupanian, Shiva Doktorand(in)
Lopez Marcos, Veronica Doktorand(in)
Plass, Christian Tobias Doktorand(in)
Vitale, Francesco Doktorand(in)

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