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Ausstattung
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3-MV-Tandetron-Beschleuniger JULIA zur Hochenergie-Ionenimplantation und Materialanalyse (RBS und PIXE in Verbindung channeling, ERD, NRA)
400 kV-Ionenimplanter ROMEO zur Dotierung von Festkörpern
Feinfokus-Implantationsanlage IMSA 100 zur Ionenimplantation und Sub-
Mikrometerstrukturierung
Niederenergie-Implantationsquelle LEILA zur Wasserstoffdotierung
Molekularstrahl-Epitaxie-Anlage zur Herstellung von Chalkopyrit Schichten mit LEED, AES, PAC-Spektrometer
Molekularstrahl-Epitaxie-Anlage für 4"-CIS-Schichten mit RHEED, Effusionsquellen, Schwefelquelle
PAC-Spektrometer zur mikroskopischen Phasen- und Defektanalyse
DLTS-Anlagen zur Identifizierung elektrisch aktiver Defekte in Halbleitern
Raster-Kraft-Mikroskop und Oberflächen-Profilometer DEKTAK 100
Hall-Messplatz für Transportmessungen
Bedampfungsanlagen für HV- und UHV-Bedingungen
Temperanlagen und RTA-Apparatur
Radionuklidlabor für radioaktive Präparationen
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Stichworte
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Nukleare Festkörperphysik * Ionenstrahlphysik * Materialmodifikationen * Ionenstrahlanalytik * Halbleiterschichten * Verbindungshalbleiter * Dünnschicht-Solarzellen * Optische Materialien
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Kooperation
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Charakterisierung von Störstellen in Halbleitern
Implantation von Dotierelementen in Halbleitern (Energien von wenigen 10 keV bis zu einigen MeV)
Wasserstoff-Passivierung von Defekten in Halbleitern
Herstellung von Mikrostrukturen mit MeV-Ionenstrahllithographie (DIBL)
Herstellung und Charakterisierung von ein- und polykristallinen Chalkopyrithalbleiter-Schichten für photovoltaische Anwendungen
Herstellung von Engwinkel-IR-Emitterdioden mittels Hochenergie-Ionenbestrahlung
Modifizierung und Analyse von optischen Materialien durch Ionenimplantationen
Analyse von Festkörperschichten mit RBS, PIXE, ERD, NRA
Modifizierung von Festkörpern mit feinfokussierten Ionenstrahlen
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Forschungstätigkeit
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Untersuchung von Struktur und Dynamik lokaler Störungen und innerer Felder in Festkörpern mit Hilfe kernphysikalischer, optischer und elektrischer Methoden
Atomare und elektronische Strukturen tiefer Störstellen und Störstellenkomplexe in Halbleitern
Wasserstoff-Passivierung von Defekten in Halbleitern
Materialaspekte der Photovoltaik, Dünnschichtsolarzellen
Herstellung dreidimensional gekrümmter Mikrostrukturen mit MeV-Ionenstrahlen (Ionenstrahllithographie) Theoretische und experimentelle Untersuchungen zur Ion-Festkörperwechselwirkung und zur Analyse von Festkörperschichten mit Ionenstrahlen
Untersuchungen zur Modifizierung physikalischer Eigenschaften von Festkörperbereichen durch Ionenimplantation verbunden mit Nachfolgeprozessen (thermische Prozesse, ionen- und laserstrahlgestützte Kristallisation)
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Funktionen
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Person
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Funktion
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von
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bis
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Ergänzung
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Ronning, Carsten, Universitätsprofessor, Dr.
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Leiter(in)
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Mittelstädt, Anja
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Sekretär(in)
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Eobaldt, Edwin
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Wissensch. Mitarbeiter(in)
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Hafermann, Martin , Dr. rer. nat.
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Wissensch. Mitarbeiter(in)
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Koch, Alexander
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Wissensch. Mitarbeiter(in)
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Lerner, Sören
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Wissensch. Mitarbeiter(in)
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Paz, Karla
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Wissensch. Mitarbeiter(in)
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Plass, Christian Tobias
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Wissensch. Mitarbeiter(in)
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Vitale, Francesco
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Wissensch. Mitarbeiter(in)
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Wei, Fengkai
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Wissensch. Mitarbeiter(in)
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Barth, Ulrich
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Techn. Mitarbeiter(in)
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Hoffmann, Patrick
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Techn. Mitarbeiter(in)
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Jehn, Frank
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Techn. Mitarbeiter(in)
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Choupanian, Shiva
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Doktorand(in)
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Lerner, Sören
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Doktorand(in)
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Plass, Christian Tobias
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Doktorand(in)
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Vitale, Francesco
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Doktorand(in)
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Wendler, Elke, apl. Prof., Dr.
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Professor(in) im Ruhestand
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Wesch, Werner, Hochschuldoz.apl.Prof., Dr.
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Professor(in) im Ruhestand
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